Point Defect‐Induced UV‐C Absorption in Aluminum Nitride Epitaxial Layers Grown on Sapphire Substrates by Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Bibliographic citation
-
Point Defect‐Induced UV‐C Absorption in Aluminum Nitride Epitaxial Layers Grown on Sapphire Substrates by Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition ; volume:257 ; number:12 ; year:2020 ; extent:6
Physica status solidi / B. B, Basic solid state physics ; 257, Heft 12 (2020) (gesamt 6)
- Creator
-
Tillner, Nadine
Frankerl, Christian
Nippert, Felix
Davies, Matthew J.
Brandl, Christian
Lösing, Rainer
Mandl, Martin
Lugauer, Hans-Jürgen
Zeisel, Roland
Hoffmann, Axel
Waag, Andreas
Hoffmann, Marc Patrick
- DOI
-
10.1002/pssb.202000278
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022062310473152855096
- Rights
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:36 AM CEST
Data provider
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