Nanoscale InN clusters and compositional inhomogeneities in InGaN epitaxial layers quantified by tip-enhanced Raman scattering

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Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
In: Applied Physics Letters (118:16) - Melville, NY : American Institute of Physics - Art.-Id. 162107

Event
Veröffentlichung
(where)
Berlin
(who)
Technische Universität Berlin
(when)
2021
Creator
Seidlitz, Daniel
Poliani, Emanuele
Ries, Maximilian
Hoffmann, Axel
Wagner, Markus R.

DOI
10.14279/depositonce-12269
Handle
11303/13486
URN
urn:nbn:de:101:1-2021081101574878060512
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:49 AM CEST

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  • Seidlitz, Daniel
  • Poliani, Emanuele
  • Ries, Maximilian
  • Hoffmann, Axel
  • Wagner, Markus R.
  • Technische Universität Berlin

Time of origin

  • 2021

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