Hochschulschrift
Herstellung hochohmiger und p-dotierter GaAs-Schichten aus der Gasphase
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IV, 101 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Fak. für Elektrotechnik, Diss., 1978.
- Urheber
-
Bruch, Hans
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:16 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Bruch, Hans
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