Hochschulschrift
Stochastische und numerische Modellierung der Wachstumsprozesse bei der Abscheidung von amorphen, wasserstoffhaltigen Siliziumfilmen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
V, 118 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Heidelberg, Univ., Diss., 1998
- Schlagwort
-
Silicium
Amorpher Zustand
Wasserstoff
Laser-CVD-Verfahren
Computersimulation
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:18 MESZ
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Objekttyp
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