Hochschulschrift
Development of an electrical and thermal compact model for lateral double-diffused MOS transistors and high voltage MOSFETs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783942710206
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
X, 172 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Dresden, Techn. Univ., Diss., 2011
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
Hochspannungstransistor
Simulation
Schaltungsentwurf
Elektrische Eigenschaft
Thermodynamische Eigenschaft
DMOS-FET
Lateraltransistor
Simulation
Schaltungsentwurf
Elektrische Eigenschaft
Thermodynamische Eigenschaft
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
TUDpress
- (wann)
-
2011
- Urheber
-
Moebus, Kai E.
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:21 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Moebus, Kai E.
- TUDpress
Entstanden
- 2011
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