Hochschulschrift

Reliability of high-k/metal gate field-effect transistors considering circuit operational constraints

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783741208690
3741208698
Maße
21 cm, 189 g
Umfang
118 Seiten
Ausgabe
[1. Auflage]
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2015

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
High-k Metal-Gate-Technik
Hafniumdioxid
High-k-Dielektrikum
MOS-FET
Statisches RAM
Schaltvorgang
Degradation
Schwellenspannung
Durchschlagspannung
Zuverlässigkeit

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Norderstedt
(wer)
BoD - Books on Demand
(wann)
[2016?]
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:43 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • [2016?]

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