Hochschulschrift

Oxidische FETs mit sub-100 nm Gatelänge

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Stuttgart, Universität Stuttgart, Dissertation, 2016

Klassifikation
Physik
Schlagwort
Bauelement
Drain
Grenzfläche
Bandkante
Transistor
Ladungsträger
Metall-Isolator-Phasenumwandlung
Gate
Elektronengas
Dimension 2
Halbleiterbauelement
Nichtleiter
Feldemission

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Stuttgart
(wer)
Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
(wann)
2016
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Mannhart, Jochen

DOI
10.18419/opus-8881
URN
urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-88982
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 11:03 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Woltmann, Carsten
  • Mannhart, Jochen
  • Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart

Entstanden

  • 2016

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