Hochschulschrift
Untersuchung des elektronischen Transports an 28 nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
xi, 171 Seiten
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2018
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
Schottky-Kontakt
Transistor
Magnetowiderstand
Nanodraht
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:50 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Entstanden
- [2018]
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