Hochschulschrift

Sub-micron InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors for ultra high-speed digital integrated circuits

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783866283015
Maße
21 cm
Umfang
X, 265 S.
Ausgabe
1. ed.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Zürich, Techn. Hochsch., Diss.

Erschienen in
Series in microelectronics ; Vol. 204

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Heterobipolartransistor
Nanometerbereich
Indiumphosphid
Galliumantimonid
Frequenzteiler
Elektronenstrahllithografie

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Konstanz
(wer)
Hartung-Gorre
(wann)
2010
Urheber
Hammer, Urs

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:08 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Hammer, Urs
  • Hartung-Gorre

Entstanden

  • 2010

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