Fast and Slow Stages of Lifetime Degradation by Boron–Oxygen Centers in Crystalline Silicon

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Schmidt, J.; Bothe, K.; Voronkov, V.V.; Falster, R.: Fast and Slow Stages of Lifetime Degradation by Boron–Oxygen Centers in Crystalline Silicon. In: Physica Status Solidi (B) Basic Research 257 (2019), Nr. 1, 1900167. DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.201900167

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover, Hannover
(wer)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
(wann)
2019
Urheber
Schmidt, Jan
Bothe, Karsten
Voronkov, Vladimir V.
Falster, Robert

DOI
10.15488/9275
URN
urn:nbn:de:101:1-2020071315124640170628
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:44 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Schmidt, Jan
  • Bothe, Karsten
  • Voronkov, Vladimir V.
  • Falster, Robert
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)

Entstanden

  • 2019

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