A DLTS analysis of alpha particle irradiated commercial 4H-SiC Schottky barrier diodes
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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1 Online-Ressource.
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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A DLTS analysis of alpha particle irradiated commercial 4H-SiC Schottky barrier diodes ; volume:35 ; number:27 ; day:25 ; month:9 ; year:2024 ; pages:1-12 ; date:9.2024
Journal of materials science / Materials in electronics ; 35, Heft 27 (25.9.2024), 1-12, 9.2024
- Urheber
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Ahmed, Mustafa A. M.
Auret, F. D.
Nel, J. M.
Venter, Andrè
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1007/s10854-024-13507-2
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2412242100376.502418935441
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:32 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Ahmed, Mustafa A. M.
- Auret, F. D.
- Nel, J. M.
- Venter, Andrè
- SpringerLink (Online service)