Hochschulschrift
Degradation and reliability of GaInP, AlGaInP quantum well lasers
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783896539946
3896539949
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
III, 160 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2002
- Schlagwort
-
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Aluminiumphosphid
Quantenwell-Laser
Degradation
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:48 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Fu, Liwei
- Mainz
Entstanden
- 2002
Ähnliche Objekte (12)
AlGaN/GaN HEMTs Reliability: Degradation Modes and Analysis
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Kohärente Intersubband-Dynamik in GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Strahlende Rekombination in GaAs-Dotierungsübergittern und AlxGa1_346xAs-GaAs Quantum-Well-Heterostrukturen [AlxGaxAs-GaAs-Quantum-Well-Heterostrukturen]
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Magnetic-field-induced intersubband resonances in AlGaAs/GaAs quantum wells
Ultraschneller Elektronentransfer im Leitungsband von GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N,GaN multiple quantum wells
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells
Acoustically induced spin transport in (110) GaAs quantum wells
Optical orientation of electron spins in GaAs quantum wells
AlGaN/GaN HEMTs Reliability: Degradation Modes and Analysis
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Kohärente Intersubband-Dynamik in GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Strahlende Rekombination in GaAs-Dotierungsübergittern und AlxGa1_346xAs-GaAs Quantum-Well-Heterostrukturen [AlxGaxAs-GaAs-Quantum-Well-Heterostrukturen]
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Magnetic-field-induced intersubband resonances in AlGaAs/GaAs quantum wells
Ultraschneller Elektronentransfer im Leitungsband von GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N,GaN multiple quantum wells
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells
Acoustically induced spin transport in (110) GaAs quantum wells
Optical orientation of electron spins in GaAs quantum wells
AlGaN/GaN HEMTs Reliability: Degradation Modes and Analysis
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Kohärente Intersubband-Dynamik in GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Strahlende Rekombination in GaAs-Dotierungsübergittern und AlxGa1_346xAs-GaAs Quantum-Well-Heterostrukturen [AlxGaxAs-GaAs-Quantum-Well-Heterostrukturen]
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Growth and characterization of cubic InGaN and InGaN/GaN quantum wells
Magnetic-field-induced intersubband resonances in AlGaAs/GaAs quantum wells
Ultraschneller Elektronentransfer im Leitungsband von GaAs-AlGaAs-Quantum-Well-Strukturen
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N,GaN multiple quantum wells
Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells
Acoustically induced spin transport in (110) GaAs quantum wells