High-rate atomic layer deposition of Al2O3 for the surface passivation of Si solar cells
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
In: Werner, F.; Stals, W.; Görtzen, R.; Veith, B.; Brendel, Rolf et al.: High-rate atomic layer deposition of Al2O3 for the surface passivation of Si solar cells. In: Energy Procedia 8 (2011), S. 301-306. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2011.06.140
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Hannover, Hannover
- (wer)
-
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
- (wann)
-
2011
- Urheber
-
Werner, Florian
Stals, Walter
Görtzen, Roger
Veith, Boris
Brendel, Rolf
Schmidt, Jan
- DOI
-
10.15488/1153
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2020071506153344624453
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:49 MEZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Werner, Florian
- Stals, Walter
- Görtzen, Roger
- Veith, Boris
- Brendel, Rolf
- Schmidt, Jan
- Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
Entstanden
- 2011
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