Hochschulschrift

Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783832291624
Maße
21 cm, 246 gr.
Umfang
IV, 160 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2010

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Laserdiode
MOCVD-Verfahren
Galliumnitrid
Indiumnitrid
Quantenwell

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Shaker
(wann)
2010
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:43 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2010

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