Selektive metallorganische Gasphasenepitaxie für (quasi-)vertikale GaN-basierte Leistungsbauelemente
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
MOCVD-Verfahren
Siliciumcarbid
Durchschlagfestigkeit
Leistungstransistor
Aluminiumnitrid
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18154/RWTH-2022-03893
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022051803300452515067
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:54 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Debald, Arne
- Vescan, Andrei
- Scholz, Ferdinand
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2022
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