Hochschulschrift
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IV, 125 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 1998
- Schlagwort
-
Silicium
n-Halbleiter
Ionenimplantation
Gallium
Ausheilung
IPG-FET
IPG-FET
SIMOX
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:16 MESZ
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