Hochschulschrift
Durch Ionenimplantation dotierte Schichten in Silizium und ihre Anwendung in ortsbestimmenden Zählern
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
4 [Maschinenschr. vervielf.]
- Extent
-
55 gez. Bl. mit Abb.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Heidelberg, Naturwiss.-math. F., Diss. v. 9. Juli 1969 (Nicht f. d. Aust.)
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Heidelberg
- (when)
-
1969
- Creator
-
Stumpfi, Werner
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:19 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Stumpfi, Werner
Time of origin
- 1969
Other Objects (12)
Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von dünnen dotierten Silizium-Schichten und Silizium/Kalziumfluorid-Schichtsystemen
Optische Charakterisierung von Silizium nach Ionenimplantation
Dosisabhängigkeit der Amorphisierung von Silizium durch Ionenimplantation
Integriert-optischer Verstärker aus Selten-Erd-dotierten CVD-Schichten auf Silizium
Optische Wellenleiter in dotierten Polymeren nach Ionenimplantation oder photochemischer Reaktion
Veränderung magnetischer Eigenschaften von Co-Schichten durch Ionenimplantation
Untersuchung zur Erzeugung hochohmiger Bauelement-Bereiche in Silizium durch Ionenimplantation
Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das "Buried channel charge coupled device"
Charakterisierung von vorwiegend durch Ionenimplantation hergestellten, dünnen Siliziumoxid-, Siliziumnitrid- und Siliziumoxynitrid-Schichten auf Silizium mit Augerelektronenspektroskopie und Elektronenenergieverlustspektroskopie
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
Verbundvorhaben Ionenimplantation
Experimente und Modellrechnungen zur Untersuchung mikroskopischer Prozesse bei der Ionenimplantation in Silizium
Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von dünnen dotierten Silizium-Schichten und Silizium/Kalziumfluorid-Schichtsystemen
Optische Charakterisierung von Silizium nach Ionenimplantation
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Integriert-optischer Verstärker aus Selten-Erd-dotierten CVD-Schichten auf Silizium
Optische Wellenleiter in dotierten Polymeren nach Ionenimplantation oder photochemischer Reaktion
Veränderung magnetischer Eigenschaften von Co-Schichten durch Ionenimplantation
Untersuchung zur Erzeugung hochohmiger Bauelement-Bereiche in Silizium durch Ionenimplantation
Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das "Buried channel charge coupled device"
Charakterisierung von vorwiegend durch Ionenimplantation hergestellten, dünnen Siliziumoxid-, Siliziumnitrid- und Siliziumoxynitrid-Schichten auf Silizium mit Augerelektronenspektroskopie und Elektronenenergieverlustspektroskopie
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
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