Hochschulschrift
Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783744867887
3744867889
- Maße
-
21 cm, 229 g
- Umfang
-
XII, 137 Seiten
- Ausgabe
-
[1. Auflage]
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2017
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
FRAM
Hafniumdioxid
High-k-Dielektrikum
Dynamisches RAM
Zirkoniumdioxid
Stapel
Schaltverhalten
Physikalischer Effekt
Antiferroelektrizität
Nichtflüchtiger Speicher
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Norderstedt
- (wer)
-
BoD Books on Demand
- (wann)
-
2017
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:19 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pešić, Milan Dragan
- Books on Demand GmbH. Norderstedt
- BoD Books on Demand
Entstanden
- 2017
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