Gate dielectrics and MOS ULSIs : principles, technologies and applications

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783540631828
3540631828
Maße
24 cm
Umfang
XIV, 352 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
graph. Darst.
Literaturverz. S. 325 - 341

Erschienen in
Springer series in electronics and photonics ; Vol. 34

Schlagwort
MOS-FET
ULSI
Dielektrische Schicht
SOI-Technik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin, Heidelberg, New York, Barcelona, Budapest, Hong Kong, London, Milan, Paris, Santa Clara, Singapore, Tokyo
(wer)
Springer
(wann)
1997
Urheber
Hori, Takashi

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:48 MESZ

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Beteiligte

  • Hori, Takashi
  • Springer

Entstanden

  • 1997

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