- Sprache
-
Englisch
- Umfang
-
162 S.
- Anmerkungen
-
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2013
- ISBN
-
978-3-8396-0897-5
- Identifier
-
1073854337
- Reihe
-
Science for systems; Bd. 22
Thema
HEMT ; Galliumnitrid ; Hochfrequenz ; Degradation ; Zuverlässigkeit ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.04.2024, 08:55 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Cäsar, Markus
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IRB-Verlag
- Fraunhofer IAF, Freiburg
Ähnliche Objekte (12)
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Optimization and characterization of GaN-based high electron mobility transistors
GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
AlGaN,GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
Quasi-zweidimensionale Modellierung des High Electron Mobility Transistor unter Berücksichtigung von Quanteneffekten
Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium- Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Design of Millimeter-Wave Power Amplifiers in Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Technology.
Dynamic detection of target DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Optimization and characterization of GaN-based high electron mobility transistors
GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
AlGaN,GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
Quasi-zweidimensionale Modellierung des High Electron Mobility Transistor unter Berücksichtigung von Quanteneffekten
Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium- Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Design of Millimeter-Wave Power Amplifiers in Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Technology.
Dynamic detection of target DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Optimization and characterization of GaN-based high electron mobility transistors
GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
AlGaN,GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
Quasi-zweidimensionale Modellierung des High Electron Mobility Transistor unter Berücksichtigung von Quanteneffekten
Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium- Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
Design of Millimeter-Wave Power Amplifiers in Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Technology.