Hochschulschrift

Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783839608975
383960897X
Dimensions
21 cm
Extent
162 S.
Language
Englisch
Notes
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2013

Bibliographic citation
Science for systems ; Bd. 22

Classification
Elektrotechnik, Elektronik
Keyword
HEMT
Galliumnitrid
Hochfrequenz
Degradation
Zuverlässigkeit

Event
Veröffentlichung
(where)
Stuttgart
(who)
Fraunhofer-Verl.
(when)
2015
Creator
Contributor
Ambacher, Oliver
Fraunhofer IRB-Verlag
Fraunhofer IAF, Freiburg

Table of contents
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Last update
11.06.2025, 2:14 PM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift

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Time of origin

  • 2015

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