Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure ; volume:11 ; number:1 ; day:1 ; month:3 ; year:2016 ; pages:1-6 ; date:12.2016
Nanoscale research letters ; 11, Heft 1 (1.3.2016), 1-6, 12.2016
- Urheber
-
Wang, Peng
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Chen, Qimiao
Wu, Xiaoyan
Cao, Chunfang
Wang, Shumin
Gong, Qian
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/s11671-016-1339-3
- URN
-
urn:nbn:de:1111-2016072928138
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:51 MESZ
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Beteiligte
- Wang, Peng
- Chen, Qimiao
- Wu, Xiaoyan
- Cao, Chunfang
- Wang, Shumin
- Gong, Qian
- SpringerLink (Online service)
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