Hochschulschrift

Elektrooptische Eigenschaften von InAs-(GaIn)Sb-Übergittern

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2001

Schlagwort
Indiumarsenid
Galliumantimonid
Indiumantimonid
Übergitter
Elektrooptischer Effekt
Drei-Fünf-Halbleiter ; Übergitter ; Infrarotphotodiode ; Strom-Spannungs-Kennlinie ; Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie ; Resonanz-Tunneleffekt

Urheber

URN
urn:nbn:de:bsz:25-opus-51241
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:56 MEZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Original beim Datenpartner anzeigen

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Ähnliche Objekte (12)

Elektrooptische Eigenschaften von InAs-(GaIn)Sb-Übergittern

Hochschulschrift

Elektrooptische Eigenschaften von InAs-(GaIn)Sb-Übergittern

Dielektrische Funktion und elektrooptische Eigenschaften von (Al,Ga)N/GaN-Heterostrukturen

Hochschulschrift

Dielektrische Funktion und elektrooptische Eigenschaften von (Al,Ga)N/GaN-Heterostrukturen

Elektro-optische Charakterisierung der Dynamik von GaInAs

Hochschulschrift

Elektro-optische Charakterisierung der Dynamik von GaInAs

Untersuchung der Grenzfläche GaAs(110)-Sb [GaAs-Sb] mit Hilfe der Ramanstreuung

Hochschulschrift

Untersuchung der Grenzfläche GaAs(110)-Sb [GaAs-Sb] mit Hilfe der Ramanstreuung

Elektrooptische Eigenschaften von nematischen Streifenzellen

Hochschulschrift

Elektrooptische Eigenschaften von nematischen Streifenzellen

Geordnetes InGaAsP : grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen

Hochschulschrift | Online-Publikation

Geordnetes InGaAsP : grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen

Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

Hochschulschrift

Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

Hochschulschrift

Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

Entwicklung eines hocheffizienten GaAs-GaSb-Tandem-Konzentrator-Solarzellen-Moduls

Hochschulschrift

Entwicklung eines hocheffizienten GaAs-GaSb-Tandem-Konzentrator-Solarzellen-Moduls

InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom

Hochschulschrift

InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom

Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots

Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots

Elektrooptische Entfernungsmessung

Elektrooptische Entfernungsmessung

Verbundene Objekte