Hochschulschrift

Elektrooptische Eigenschaften von InAs-(GaIn)Sb-Übergittern

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2001

Keyword
Indiumarsenid
Galliumantimonid
Indiumantimonid
Übergitter
Elektrooptischer Effekt
Drei-Fünf-Halbleiter ; Übergitter ; Infrarotphotodiode ; Strom-Spannungs-Kennlinie ; Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie ; Resonanz-Tunneleffekt

Creator

URN
urn:nbn:de:bsz:25-opus-51241
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:45 AM CEST

Data provider

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Object type

  • Hochschulschrift

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