Technologieentwicklung und Charakterisierung von Through Silicon Carbide Vias (TSiCV)

Weitere Titel
Technology development and characterization of Though Silicon Carbide Vias (TSiCV)
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Berlin, Technische Universität Berlin, Dissertation, 2022

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Siliciumcarbid
Silicium
Wafer
Dreidimensionale Integration
Chip
Durchkontaktieren
CVD-Verfahren

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin
(wer)
Technische Universität Berlin
(wann)
2022
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Lang, Klaus-Dieter
Lang, Klaus-Dieter
Schulz, Stefan
Müller, Jens

DOI
10.14279/depositonce-16174
Handle
11303/17393
URN
urn:nbn:de:101:1-2022091402045994323335
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:44 MEZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Beteiligte

  • Mackowiak, Piotr
  • Lang, Klaus-Dieter
  • Schulz, Stefan
  • Müller, Jens
  • Technische Universität Berlin

Entstanden

  • 2022

Ähnliche Objekte (12)