Evolution of lattice distortions in 4H-SiC wafers with varying doping

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2045-2322
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Evolution of lattice distortions in 4H-SiC wafers with varying doping ; volume:10 ; number:1 ; day:2 ; month:7 ; year:2020 ; pages:1-9 ; date:12.2020
Scientific reports ; 10, Heft 1 (2.7.2020), 1-9, 12.2020

Urheber
Mahadik, Nadeemullah A.
Das, Hrishikesh
Stoupin, Stanislav
Stahlbush, Robert E.
Bonanno, Peter L.
Xu, Xueping
Rengarajan, Varatharajan
Ruland, Gary E.
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41598-020-67900-y
URN
urn:nbn:de:101:1-2022100722401227107093
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
2025-08-15T07:28:28+0200

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte

  • Mahadik, Nadeemullah A.
  • Das, Hrishikesh
  • Stoupin, Stanislav
  • Stahlbush, Robert E.
  • Bonanno, Peter L.
  • Xu, Xueping
  • Rengarajan, Varatharajan
  • Ruland, Gary E.
  • SpringerLink (Online service)

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