Very High Temperature Hall Sensors in a Wafer‐Scale 4H‐SiC Technology

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Very High Temperature Hall Sensors in a Wafer‐Scale 4H‐SiC Technology ; day:07 ; month:08 ; year:2024 ; extent:14
Advanced Materials Technologies ; (07.08.2024) (gesamt 14)

Urheber
Okeil, Hesham
Erlbacher, Tobias
Wachutka, Gerhard

DOI
10.1002/admt.202400046
URN
urn:nbn:de:101:1-2408071430002.325039551684
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:50 MESZ

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