Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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1 Online-Ressource.
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators ; volume:8 ; number:1 ; day:19 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-10 ; date:12.2024
npj 2D materials and applications ; 8, Heft 1 (19.3.2024), 1-10, 12.2024
- Urheber
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Illarionov, Yury
Knobloch, Theresia
Uzlu, B.
Banshchikov, A. G.
Ivanov, I. A.
Sverdlov, Viktor
Otto, M.
Stoll, S. L.
Vexler, M. I.
Waltl, Michael
Wang, Z.
Manna, B.
Neumaier, Daniel
Lemme, M. C.
Sokolov, N. S.
Grasser, Tibor
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s41699-024-00461-0
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2405211145410.622407113954
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:44 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Illarionov, Yury
- Knobloch, Theresia
- Uzlu, B.
- Banshchikov, A. G.
- Ivanov, I. A.
- Sverdlov, Viktor
- Otto, M.
- Stoll, S. L.
- Vexler, M. I.
- Waltl, Michael
- Wang, Z.
- Manna, B.
- Neumaier, Daniel
- Lemme, M. C.
- Sokolov, N. S.
- Grasser, Tibor
- SpringerLink (Online service)