Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators ; volume:8 ; number:1 ; day:19 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-10 ; date:12.2024
npj 2D materials and applications ; 8, Heft 1 (19.3.2024), 1-10, 12.2024

Urheber
Illarionov, Yury
Knobloch, Theresia
Uzlu, B.
Banshchikov, A. G.
Ivanov, I. A.
Sverdlov, Viktor
Otto, M.
Stoll, S. L.
Vexler, M. I.
Waltl, Michael
Wang, Z.
Manna, B.
Neumaier, Daniel
Lemme, M. C.
Sokolov, N. S.
Grasser, Tibor
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41699-024-00461-0
URN
urn:nbn:de:101:1-2405211145410.622407113954
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:44 MESZ

Datenpartner

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