Hochschulschrift
MBE-Wachstum, Struktur und elektrische Transporteigenschaften epitaktischer Si/CoSi2/Si(100)-Heterostrukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826519307
3826519302
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 134 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 1996
- Schlagwort
-
Cobaltdisilicid
Silicium
Heterostruktur
Molekularstrahlepitaxie
Schichtwachstum
Elektronischer Transport
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:23 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schäffer, Carsten
- Shaker
Entstanden
- 1996
Ähnliche Objekte (12)
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si/CrSi2/Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si-CrSi2-Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen
Innere Photoemission in Au/Si und CoSi2/Si Heterostrukturen
Charakterisierung von rauhen MBE-CoSi2/Si-Schichtsystemen mittels Röntgenstreuung
Strukturelle und optische Charakterisierung von β-FeSi2-Si-Heterostrukturen
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Herstellung und Wachstum einkristalliner Si-Cosi2-Si-Heterostrukturen [Si-Cosi-Si-Heterostrukturen] nach Hochdosis-Ionenimplantation
Störbandleitung in FeSi2 [FeSi]
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage zur Herstellung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und in Silizium vergrabener SiOx-Schichten sowie Charakterisierung dieser Schichtsysteme
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si/CrSi2/Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si-CrSi2-Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen
Innere Photoemission in Au/Si und CoSi2/Si Heterostrukturen
Charakterisierung von rauhen MBE-CoSi2/Si-Schichtsystemen mittels Röntgenstreuung
Strukturelle und optische Charakterisierung von β-FeSi2-Si-Heterostrukturen
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Herstellung und Wachstum einkristalliner Si-Cosi2-Si-Heterostrukturen [Si-Cosi-Si-Heterostrukturen] nach Hochdosis-Ionenimplantation
Störbandleitung in FeSi2 [FeSi]
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage zur Herstellung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und in Silizium vergrabener SiOx-Schichten sowie Charakterisierung dieser Schichtsysteme
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si/CrSi2/Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si-CrSi2-Si-Heterostrukturen
Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen
Innere Photoemission in Au/Si und CoSi2/Si Heterostrukturen
Charakterisierung von rauhen MBE-CoSi2/Si-Schichtsystemen mittels Röntgenstreuung
Strukturelle und optische Charakterisierung von β-FeSi2-Si-Heterostrukturen
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Wachstum epitaktischer CoSi2-Schichten durch Reaktion metallischer Doppelschichten mit Si(100)
Herstellung und Wachstum einkristalliner Si-Cosi2-Si-Heterostrukturen [Si-Cosi-Si-Heterostrukturen] nach Hochdosis-Ionenimplantation
Störbandleitung in FeSi2 [FeSi]
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen