Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al–Ge alloyed pastes on Si substrate
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2045-2322
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al–Ge alloyed pastes on Si substrate ; volume:12 ; number:1 ; day:12 ; month:9 ; year:2022 ; pages:1-11 ; date:12.2022
Scientific reports ; 12, Heft 1 (12.9.2022), 1-11, 12.2022
- Urheber
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Fukuda, Keisuke
Miyamoto, Satoru
Nakahara, Masahiro
Suzuki, Shota
Dhamrin, Marwan
Maeda, Kensaku
Fujiwara, Kozo
Uraoka, Yukiharu
Usami, Noritaka
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s41598-022-19122-7
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022111721132040891667
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:36 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Fukuda, Keisuke
- Miyamoto, Satoru
- Nakahara, Masahiro
- Suzuki, Shota
- Dhamrin, Marwan
- Maeda, Kensaku
- Fujiwara, Kozo
- Uraoka, Yukiharu
- Usami, Noritaka
- SpringerLink (Online service)