Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Diffusion
Transistor
Molekulardynamik
MOS-FET
Molekulardynamik
Diffusion
Silicium
Germanium

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Chemnitz
(wer)
Technische Universität Chemnitz
(wann)
2018
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Schulz, Stefan E.
Schuster, Jörg
Schuster, Jörg
Fuchs, Florian

URN
urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa2-318907
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:41 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Engl, Moritz
  • Schulz, Stefan E.
  • Schuster, Jörg
  • Fuchs, Florian
  • Technische Universität Chemnitz

Entstanden

  • 2018

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