Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Diffusion
Transistor
Molekulardynamik
MOS-FET
Molekulardynamik
Diffusion
Silicium
Germanium

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Chemnitz
(wer)
Technische Universität Chemnitz
(wann)
2018
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Schulz, Stefan E.
Schuster, Jörg
Fuchs, Florian

URN
urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa2-318907
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:47 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Engl, Moritz
  • Schulz, Stefan E.
  • Schuster, Jörg
  • Fuchs, Florian
  • Technische Universität Chemnitz

Entstanden

  • 2018

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