Hochschulschrift
Herstellung, Charakterisierung und elektrische Eigenschaften von modifizierten SiO2-Sol-Gel-Schichten für die Elektrotechnik, Elektronik
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Schlagwort
-
Oberflächenmontiertes Bauelement
Widerstand
Sol-Gel-Verfahren
Modifizierte Verbindungen
Nanostrukturiertes Material
Ruß
Oberflächenmontiertes Bauelement
Widerstand
Sol-Gel-Verfahren
Modifizierte Verbindungen
Nanostrukturiertes Material
Rutheniumdioxid
Dünne Schicht
Sol-Gel-Verfahren
Siliciumdioxid
Elektrische Eigenschaft
- Urheber
-
Shimamura, Aki
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:ilm1-2004000016
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:39 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Shimamura, Aki
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