Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid

Abstract: Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/Al2O3-Grenzfläche beiträgt

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Dissertation, 2017

Klassifikation
Physik
Schlagwort
Passivschicht
Passivierung
Fotovoltaik
Rekombination
Aktivierungsenergie
Feldeffekt
Aluminiumoxide
Silicium

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Freiburg
(wer)
Universität
(wann)
2018
Urheber

DOI
10.6094/UNIFR/15180
URN
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-151802
Rechteinformation
Kein Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:59 MESZ

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