Hochschulschrift
Oberflächenphotospannung und Kontaktpotentialdifferenz von hydrogeniertem amorphen Silizium
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
30 cm
- Extent
-
112 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
43 graph. Darst.
Als Ms. gedr.
Zugl.: Düsseldorf, Univ., Diss., 1987
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Jülich
- (who)
-
Zentralbibliothek d. Kernforschungsanlage
- (when)
-
1987
- Creator
-
Foller, Michael
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:14 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Foller, Michael
- Zentralbibliothek d. Kernforschungsanlage
Time of origin
- 1987
Other Objects (12)
Zeitaufgelöste und stationäre Lumineszenz des amorphen Siliziums
Photoemissionsuntersuchungen am amorphen Silizium mit Hilfe von Synchrotronstrahlung
Akustische Anomalien in amorphen Silizium- und Germanium-Filmen
Femtosekundenlaser induzierte Modifikation in hydrogenisierten amorphen Silizium-Dünnschichten
Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit der Defektdichte im amorphen Silicium
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Elektronische Relaxation im hydrogenisierten amorphen Silizium : Untersuchung der Reaktionskinetik
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Untersuchung des Temperaturkoeffizienten und anderer Materialeigenschaften von Laser-ausgeheilten amorphen Silizium- und Silizium-Germanium-Schichten
Metall-Halbleiter-Mehrschichtsysteme auf der Basis von hydrogeniertem amorphen Silicium
Herstellung und Untersuchung passivierender Grenzschichten in amorphen Silizium-Schottky-Solarzellen
Die Schottkybarriere von amorphen und kristallinen Iridiumsilizidfilmen auf p-Silizium(100)
Zeitaufgelöste und stationäre Lumineszenz des amorphen Siliziums
Photoemissionsuntersuchungen am amorphen Silizium mit Hilfe von Synchrotronstrahlung
Akustische Anomalien in amorphen Silizium- und Germanium-Filmen
Femtosekundenlaser induzierte Modifikation in hydrogenisierten amorphen Silizium-Dünnschichten
Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit der Defektdichte im amorphen Silicium
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Elektronische Relaxation im hydrogenisierten amorphen Silizium : Untersuchung der Reaktionskinetik
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Untersuchung des Temperaturkoeffizienten und anderer Materialeigenschaften von Laser-ausgeheilten amorphen Silizium- und Silizium-Germanium-Schichten
Metall-Halbleiter-Mehrschichtsysteme auf der Basis von hydrogeniertem amorphen Silicium
Herstellung und Untersuchung passivierender Grenzschichten in amorphen Silizium-Schottky-Solarzellen
Die Schottkybarriere von amorphen und kristallinen Iridiumsilizidfilmen auf p-Silizium(100)
Zeitaufgelöste und stationäre Lumineszenz des amorphen Siliziums
Photoemissionsuntersuchungen am amorphen Silizium mit Hilfe von Synchrotronstrahlung
Akustische Anomalien in amorphen Silizium- und Germanium-Filmen
Femtosekundenlaser induzierte Modifikation in hydrogenisierten amorphen Silizium-Dünnschichten
Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit der Defektdichte im amorphen Silicium
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Elektronische Relaxation im hydrogenisierten amorphen Silizium : Untersuchung der Reaktionskinetik
Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums
Untersuchung des Temperaturkoeffizienten und anderer Materialeigenschaften von Laser-ausgeheilten amorphen Silizium- und Silizium-Germanium-Schichten
Metall-Halbleiter-Mehrschichtsysteme auf der Basis von hydrogeniertem amorphen Silicium
Herstellung und Untersuchung passivierender Grenzschichten in amorphen Silizium-Schottky-Solarzellen