Hochschulschrift

Eigenschaften und Modellierung von MOS-Feldeffekttransistoren bei 77 Kelvin

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
178 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Stuttgart, Univ., Diss., 1985

Schlagwort
Transistor
MOS-Technik
MIS-Technik
Transistor
MOS-Schaltung

Urheber
Kienzler, Rainer

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:17 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Kienzler, Rainer

Ähnliche Objekte (12)

Hochfrequenz-Modellierung des MOS-Transistors

Hochschulschrift | Online-Publikation

Hochfrequenz-Modellierung des MOS-Transistors

Kelvin, William Thomson

Druckgrafik

Kelvin, William Thomson

Kelvin, William Thomson

Fotografie

Kelvin, William Thomson

Kelvin, William Thomson

Fotografie

Kelvin, William Thomson

Kelvin, William Thomson

Druckgrafik

Kelvin, William Thomson

Kelvin, William Thomson

Druckgrafik

Kelvin, William Thomson

Kelvin : colour today

Bildband

Kelvin : colour today

Modellierung des Hochfrequenzverhaltens von MOS-Transistoren

Hochschulschrift

Modellierung des Hochfrequenzverhaltens von MOS-Transistoren

Magnetohydrodynamische Kelvin-Helmholtz-Instabilität

Hochschulschrift

Magnetohydrodynamische Kelvin-Helmholtz-Instabilität

Verfahren Arthur Kelvin, London

Archivale

Verfahren Arthur Kelvin, London

Verfahren Arthur Kelvin, London

Archivale

Verfahren Arthur Kelvin, London

Verfahren Arthur Kelvin, London

Archivale

Verfahren Arthur Kelvin, London

Verbundene Objekte