- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Stuttgart, Universität Stuttgart, Diplomarbeit
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
HEMT
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
- (wann)
-
2007
- Urheber
-
Malik, Adil Mahmood
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:93-opus-30157
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:00 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Malik, Adil Mahmood
- Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
Entstanden
- 2007
Ähnliche Objekte (12)
Technology and characterization of InAlN/GaN FETs
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs
Surface and electrical properties of GaN layers : impact on GaN/AlInN FETs
Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung
Gate leakage current induced trapping in AlGaN/GaN Schottky-gate HFETs and MISHFETs
Gate Capacitance and Off-State Characteristics of E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors After Gate Stress Bias
Impact of phonon scattering in Si/GaAs/InGaAs nanowires and FinFets: a NEGF perspective
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
![Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Processing approaches and gate dielectrics for AlGaN/GaN-based MISHFET
Complementary tunneling-FETs (CTFET) in CMOS technology
Technology and characterization of InAlN/GaN FETs
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs
Surface and electrical properties of GaN layers : impact on GaN/AlInN FETs
Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung
Gate leakage current induced trapping in AlGaN/GaN Schottky-gate HFETs and MISHFETs
Gate Capacitance and Off-State Characteristics of E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors After Gate Stress Bias
Impact of phonon scattering in Si/GaAs/InGaAs nanowires and FinFets: a NEGF perspective
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Processing approaches and gate dielectrics for AlGaN/GaN-based MISHFET
Complementary tunneling-FETs (CTFET) in CMOS technology
Technology and characterization of InAlN/GaN FETs
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs
Surface and electrical properties of GaN layers : impact on GaN/AlInN FETs
Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung
Gate leakage current induced trapping in AlGaN/GaN Schottky-gate HFETs and MISHFETs
Gate Capacitance and Off-State Characteristics of E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors After Gate Stress Bias
Impact of phonon scattering in Si/GaAs/InGaAs nanowires and FinFets: a NEGF perspective
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Studienhefte / Hamburger Fernlehrinstitut Walter Schultz, [...]. GaTe
Processing approaches and gate dielectrics for AlGaN/GaN-based MISHFET