Nando Kaminski
Geboren:
1968
Hat mitgewirkt an:
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Unipolare Leistungsbauelemente in Siliziumkarbid
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Characterization and Development of the 4H-SiC/SiO2 Interface for Power MOSFET Applications
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Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten : Fabrication and characterization of gallium nitride trench MOSFETs on native substrates
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Investigation of thermomechanical fatigue processes in power electronic packages with experiment and simulation