Werner Prost
Hat mitgewirkt an:
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Technologie der III/V-Halbleiter : III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente
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Scanning Transmission Electron Microscopy Analysis of the Si (111)–AlN–GaN Nanowire Interface Grown by Polarity‐ and Site‐Controlled Growth Method
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Tunneling‐Related Leakage Currents in Coaxial GaAs/InGaP Nanowire Heterojunction Bipolar Transistors
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Vierpunktmessungen an freistehenden Nanodrähten mit einem Multispitzen-Rastertunnelmikroskop