Hochschulschrift
Ein Modell für das statische Verhalten bipolarer Transistoren im Grosssignalbetrieb
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
195 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Dortmund, Univ., Diss., 1982
- Schlagwort
-
Transistor
Bipolartransistor
Transistor
Bipolartransistor
- Urheber
-
Rauschert, Rainer
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:48 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Rauschert, Rainer
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