Hochschulschrift
Ein Modell für das statische Verhalten bipolarer Transistoren im Grosssignalbetrieb
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
195 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Dortmund, Univ., Diss., 1982
- Keyword
-
Transistor
Bipolartransistor
Transistor
Bipolartransistor
- Creator
-
Rauschert, Rainer
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:48 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Rauschert, Rainer
Other Objects (12)
![Untersuchungen zum Temperaturverhalten bipolarer und I2L-Transistoren [IL-Transistoren]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Untersuchungen zum Temperaturverhalten bipolarer und I2L-Transistoren [IL-Transistoren]
Zweidimensionale Analogsimlation des dynamischen Grosssignalverhaltens bipolarer Transistoren
A 4 - Themenbericht: "Weiterentwicklung bipolarer Hochstrom-Transistoren"
Ein Analogmodell zur Simulation des Großsignalverhaltens bipolarer Transistoren
Über das elektrochemische Verhalten bipolarer Ionenaustauschermembranen
Prinzipien der Simulation bipolarer Bauelemente am Beispiel des monolithischen lateralen PNP-Transistors
Beiträge zum statischen, dynamischen und thermischen Verhalten von MOS-Feldeffekt-Transistoren
Ein Beitrag zur Verwendung von Elementen höherer Ordnung bei der Modellierung bipolarer Transistoren
Der Einfluss physikalischer und chemischer Eigenschaften von Epoxidharzplastmaterial auf die Zuverlässigkeit bipolarer Transistoren
Pharmakotherapie bipolarer Störungen
Behandlung bipolarer Erkrankungen
Phasenprophylaxe bipolarer Erkrankungen
Untersuchungen zum Temperaturverhalten bipolarer und I2L-Transistoren [IL-Transistoren]
Zweidimensionale Analogsimlation des dynamischen Grosssignalverhaltens bipolarer Transistoren
A 4 - Themenbericht: "Weiterentwicklung bipolarer Hochstrom-Transistoren"
Ein Analogmodell zur Simulation des Großsignalverhaltens bipolarer Transistoren
Über das elektrochemische Verhalten bipolarer Ionenaustauschermembranen
Prinzipien der Simulation bipolarer Bauelemente am Beispiel des monolithischen lateralen PNP-Transistors
Beiträge zum statischen, dynamischen und thermischen Verhalten von MOS-Feldeffekt-Transistoren
Ein Beitrag zur Verwendung von Elementen höherer Ordnung bei der Modellierung bipolarer Transistoren
Der Einfluss physikalischer und chemischer Eigenschaften von Epoxidharzplastmaterial auf die Zuverlässigkeit bipolarer Transistoren
Pharmakotherapie bipolarer Störungen
Behandlung bipolarer Erkrankungen
Phasenprophylaxe bipolarer Erkrankungen
Untersuchungen zum Temperaturverhalten bipolarer und I2L-Transistoren [IL-Transistoren]
Zweidimensionale Analogsimlation des dynamischen Grosssignalverhaltens bipolarer Transistoren
A 4 - Themenbericht: "Weiterentwicklung bipolarer Hochstrom-Transistoren"
Ein Analogmodell zur Simulation des Großsignalverhaltens bipolarer Transistoren
Über das elektrochemische Verhalten bipolarer Ionenaustauschermembranen
Prinzipien der Simulation bipolarer Bauelemente am Beispiel des monolithischen lateralen PNP-Transistors
Beiträge zum statischen, dynamischen und thermischen Verhalten von MOS-Feldeffekt-Transistoren
Ein Beitrag zur Verwendung von Elementen höherer Ordnung bei der Modellierung bipolarer Transistoren
Der Einfluss physikalischer und chemischer Eigenschaften von Epoxidharzplastmaterial auf die Zuverlässigkeit bipolarer Transistoren
Pharmakotherapie bipolarer Störungen
Behandlung bipolarer Erkrankungen