Beiträge zum statischen, dynamischen und thermischen Verhalten von MOS-Feldeffekt-Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
4 [Maschinenschr. vervielf.]
- Umfang
-
X, 186 gez. Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
mit Abb.
Karl-Marx-Stadt, T. H., F. f. Math. u. Naturwiss., Diss., 1971 (Nicht f. d. Aust.)
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:34 MESZ
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Beteiligte
Entstanden
- 1971
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