Hochschulschrift
Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen InγGa1-γAs-Kanalschichten [IngammaGa1-gammaAs-Kanalschichten] für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
IX, 203 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Duisburg, Univ., Diss., 1994
- Keyword
-
Indiumarsenid
Galliumarsenid
Heterostruktur
Feldeffekttransistor
Molekularstrahlepitaxie
- Creator
-
Kraus, Jörg
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:38 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Kraus, Jörg
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