Process development and electrical characterization of CMOS-integrated memristive devices for emerging non-volatile memory applications

Weitere Titel
Prozessentwicklung und elektrische Charakterisierung von CMOS-integrierten memristiven Bauelementen für neuartige nichtflüchtige Speicheranwendungen
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Cottbus, BTU Cottbus - Senftenberg, Dissertation, 2023

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
CMOS
Memristor
Nichtflüchtiger Speicher
Elektronik
Neuroinformatik
RAM
CMOS
Nichtflüchtiger Speicher
Memristor
Modellierung
Dispersion

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Cottbus
(wer)
BTU Cottbus - Senftenberg
(wann)
2023
Urheber
Kalishettyhalli Mahadevaiah, Mamathamba
Beteiligte Personen und Organisationen
Wenger, Christian
Mai, Andreas
Ziegler, Martin

DOI
10.26127/BTUOpen-6557
URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-65571
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:53 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Kalishettyhalli Mahadevaiah, Mamathamba
  • Wenger, Christian
  • Mai, Andreas
  • Ziegler, Martin
  • BTU Cottbus - Senftenberg

Entstanden

  • 2023

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