Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system ; volume:1 ; number:1 ; day:26 ; month:7 ; year:2006 ; pages:79-83 ; date:6.2006
Nanoscale research letters ; 1, Heft 1 (26.7.2006), 79-83, 6.2006

Urheber
Chen, Y.H
Ye, X.L
Wang, Z.G
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1007/s11671-006-9013-9
URN
urn:nbn:de:101:1-2021082820512482052622
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:35 MESZ

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Beteiligte

  • Chen, Y.H
  • Ye, X.L
  • Wang, Z.G
  • SpringerLink (Online service)

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