Effect of Sn on stacking fault energies in zirconium and its hydrides

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Physical review Materials, 8, 3, S. 1-9

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin
(wer)
Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)
(wann)
2024
Urheber
Chakraborty, P.
Mouton, I.
Gault, B.
Tehranchi, Ali
Neugebauer, J.
Hickel, Tilmann

DOI
10.1103/PhysRevMaterials.8.033605
URN
urn:nbn:de:kobv:b43-618044
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:34 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Chakraborty, P.
  • Mouton, I.
  • Gault, B.
  • Tehranchi, Ali
  • Neugebauer, J.
  • Hickel, Tilmann
  • Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)

Entstanden

  • 2024

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