Effect of Sn on stacking fault energies in zirconium and its hydrides

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
In: Physical review Materials, 8, 3, S. 1-9

Classification
Elektrotechnik, Elektronik

Event
Veröffentlichung
(where)
Berlin
(who)
Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)
(when)
2024
Creator
Chakraborty, P.
Mouton, I.
Gault, B.
Tehranchi, Ali
Neugebauer, J.
Hickel, Tilmann

DOI
10.1103/PhysRevMaterials.8.033605
URN
urn:nbn:de:kobv:b43-618044
Rights
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Last update
15.08.2025, 7:34 AM CEST

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Associated

  • Chakraborty, P.
  • Mouton, I.
  • Gault, B.
  • Tehranchi, Ali
  • Neugebauer, J.
  • Hickel, Tilmann
  • Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)

Time of origin

  • 2024

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