Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices ; day:09 ; month:05 ; year:2023 ; extent:9
Advanced electronic materials ; (09.05.2023) (gesamt 9)

Creator
Yamada, Shinya
Kato, Masatoshi
Ichikawa, Shuhei
Yamada, Michihiro
Naito, Takahiro
Fujiwara, Yasufumi
Hamaya, Kohei

DOI
10.1002/aelm.202300045
URN
urn:nbn:de:101:1-2023050917000067688733
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:54 AM CEST

Data provider

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  • Fujiwara, Yasufumi
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