Integration and High-Temperature Characterization of Ferroelectric Vanadium-Doped Bismuth Titanate Thin Films on Silicon Carbide

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1543-186X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Integration and High-Temperature Characterization of Ferroelectric Vanadium-Doped Bismuth Titanate Thin Films on Silicon Carbide ; day:20 ; month:3 ; year:2017 ; pages:1-7
Journal of electronic materials ; (20.3.2017), 1-7

Klassifikation
Physik

Urheber
Ekström, Mattias
Beteiligte Personen und Organisationen
Khartsev, Sergiy
Östling, Mikael
Zetterling, Carl-Mikael
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1007/s11664-017-5447-3
URN
urn:nbn:de:1111-2017040912178
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:52 MESZ

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Beteiligte

  • Ekström, Mattias
  • Khartsev, Sergiy
  • Östling, Mikael
  • Zetterling, Carl-Mikael
  • SpringerLink (Online service)

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