Hochschulschrift
Wachstum und Charakterisierung von GaInNAs-basierenden Halbleiterstrukturen für Laseranwendungen in der optischen Telekommunikation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
144 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Würzburg, Univ., Diss., 2013 (Nicht für den Austausch)
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Halbleiterlaser ; Galliumarsenid ; Optoelektronik ; Molekularstrahlepitaxie ; Telekommunikation ; Hochleistungslaser ; Dauerstrichbetrieb ; Nitride
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:00 MESZ
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Objekttyp
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