Hochschulschrift
Charakterisierung von dielektrischen Schichten für EEPROM-Zellen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
92 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1998
- Schlagwort
-
EEPROM
Floating-Gate-Struktur
Gate-Oxid
Degradation
Nitride
Langzeitverhalten
- Urheber
-
Mattheus, Alexander R.
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:01 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Mattheus, Alexander R.
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