Hochschulschrift
Untersuchungen zur Herstellung und Diagnostik von Gasphasenepitaxieschichten, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3 [Ga-GaAs-AsCl-H-NH]
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
30 cm
- Extent
-
84 Bl.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
17 graph. Darst.
Leipzig, Univ., Diss. A, 1985 (Nicht f.d. Austausch)
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:06 PM CEST
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![Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
Spindynamik in GaAs und (110)-GaAs-Heterostrukturen
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs / AlGaAs
Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
Spindynamik in GaAs und (110)-GaAs-Heterostrukturen
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs
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