Hochschulschrift | Online-Publikation
Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Bochum, Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
n-Kanal-FET
Dreidimensionale Integration
Fotolithografie
SOI-Technik
Gate-Oxid
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:294-4177
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:43 PM CET
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
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