Hochschulschrift | Online-Publikation
Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Bochum, Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
-
n-Kanal-FET
Dreidimensionale Integration
Fotolithografie
SOI-Technik
Gate-Oxid
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:294-4177
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:36 MESZ
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- Hochschulschrift
- Online-Publikation
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